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  • 闻泰新闻

    安世半导体助力碳中和

    2021-12-27

    功率半导体对助力碳中和具有重大意义,闻泰科技旗下安世半导体(Nexperia)作为全球知名的功率半导体IDM企业,通过推出大量低功耗功率半导体产品、采用低功耗工艺技术等方式助力碳中和。

    安世半导体

    安世半导体是半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家,其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、GaN FET(氮化镓场效应晶体管)以及模拟IC和逻辑IC等,产品种类多达15000+。

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    面对碳中和对功率半导体所提出的提高能源转换效率等方面要求,安世半导体具有显著优势,其产品在工艺、尺寸、功率及性能等方面获得行业广泛认可,拥有先进的小尺寸封装技术,可有效节省功耗及空间。此外,安世半导体还在不断进一步提高工艺技术设计,如新型DHXQFN封装技术;并持续推出效率更佳、功率密度更高、电气特性更强的产品,如第三代半导体功率器件等。

    在封装技术上,安世半导体采用100%铜夹片封装技术,其LFPAK封装可实现更强的电气性能、更大电流能力;LFPAK贴片封装体积较D2PAK小80%,相应热阻以及损耗更低;同等参数产品,小型化功率密度更高,且SOA安全区更大等。安世半导体通过减小尺寸以提高功率密度,以封装小型化实现更强的电气特性。

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    安世半导体推出用于标准逻辑器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引脚封装,其中如16引脚DHXQFN封装比行业标准DQFN16无引脚器件小45%。新封装不但比竞争产品管脚尺寸更小,而且还节省了25%的PCB面积,将大量逻辑功能整合到小尺寸系统中。

    功率器件方面,安世半导体正在不断推出更加高效的第三代半导体功率器件,以助力碳中和。与基于硅的传统电力电子产品相比,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体在应用中具有更高的能源效率,从而对降低二氧化碳排放量有很大贡献。这些材料的特性决定了它们特别适用于电动汽车及其充电站、数据中心或太阳能和风力发电厂等可再生能源领域。

    安世半导体已推出了系列GaN FET产品,主要面向汽车和物联网基础设施应用,提供合适的高可靠性产品,公司GaN工艺基于成熟可靠的量产工艺,是目前行业领先的功率GaN FET技术。安世半导体也在加速推动GaN技术应用于汽车电气化,帮助降低二氧化碳排放、减少功耗,打造更环保的未来,助力碳中和。

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    公司与著名的汽车工程咨询公司Ricardo建立合作伙伴关系,研究验证基于安世半导体GaN技术的电动汽车牵引逆变器,并与国内汽车行业主要供应商联合汽车电子有限公司在功率半导体GaN领域展开深度合作。此外,安世半导体还与上海电驱动公司联合研制了新能源汽车GaN功率组件及电机控制器,这是中国首款满足量产级的GaN电机控制器。

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    此外,安世半导体研发推出的GaN器件也可应用于太阳能逆变器,尤其适合在单相光伏(PV)逆变器中使用。为提高利用太阳能的整体系统效率,很多工程师在太阳能逆变器设计中改用GaN FET。GaN FET不仅显著改善整体转换效率,有效降低光电转换成本(LCOE),还让用户能够更简单地构建体积更小、重量更轻、更可靠的逆变器。

    除了高功率GaN器件外,安世半导体11月也推出了工业级650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率SiC二极管市场,该产品样品已开始供货。安世半导体也正在使用Aixtron的全自动AIX G5 WW C生产技术布局高性能SiC市场,Aixtron MOCVD设备已部署在安世半导体汉堡晶圆厂,采用G5 WWC技术进行SiC外延批量生产。

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    (碳化硅肖特基二极管)

    三年来,安世半导体不断巩固GaN器件技术领先性,从最初推出RDS(on)为60 mΩ的650V 晶体管,到30 mΩ的新器件,并很快将达到5 mΩ。第三代半导体是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件。

    安世将致力于第三代半导体前沿领域的研究与拓展,成为电动车用GaN器件的市场领导者,并将产品组合扩展到基于SiC的功率半导体器件。

    Nexperia
    安世半导体将继续为业界提供更高效、低功耗的功率半导体产品,切实践行碳中和,与合作伙伴们共同构建绿色供应
    链。

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